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717 0 0 2021-11-30
Murata村田|村田硅电容器
村田的高密度硅电容器，通过应用半导体的MOS工艺实现三维化，大幅增加电容器表面积，从而提高了基板单位面积的静电容量。
适合的市场细分
网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。
1、XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列
支持100GHz+的表面封装硅电容器
XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列是以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC阻塞、耦合、旁路接地用途设计的。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），实现低插入损耗、低反射、高相位稳定性。（支持的频率范围，最低为16kHz，XBSC最高为100+GHz，UBSC最高为60+GHz，BBSC最高为40GHz，ULSC最高为20GHz）这里所使用的深槽硅电容器，是应用半导体的MOS工艺开发的。表现极高的可靠性，对于电压和温度的高静电容量稳定性（0.1%/V，60 ppm/K）。
此外，硅电容器实现了-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列，以标准的JEDEC组装规则为准，可以顺利支持高速的自动抓放生产工艺。此外，这些电容器符合RoHS标准，可以根据外壳尺寸提供ENIG（镍、金）电极或无铅预凸块。
2、UBDC系列
超宽带表面贴装型差分硅电容器对组
开发了超宽带智能产品以满足不断变化的光通信市场需求及客户反馈。伴随光子电路持续发展的小型化和不断提升的性能，*村田通过将差分电容器对组和匹配终端等集成于单个硅无源器件上，提供多种智能解决方案。这款独特的集成器件建立在超深沟槽式的MOS工艺硅电容上，可发挥特有性能，提供低插入损耗和反射损耗以及高达67GHz的相位稳定性。该电容器完全兼容高速自动化拾放生产操作，并可为0402M封装尺寸提供附带ENIG电极和附带SAC305预焊凸块的产品。
3、UWSC系列
26GHz+対応 支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器
UWSC系列是以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），在超过26GHz的频率实现出色的静噪性能。UWSC系列是采用深槽和MOS半导体工艺生产的，满足低容量和高容量两方面要求，提供高可靠性，以及对于温度和电压的静电容量稳定性。实现了（0.02%/V，60ppm/K）和-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。这些电容器支持标准的引线键合封装（球和楔）。此外，这些电容器符合RoHS标准，也能提供厚膜金电极。
4、WLSC系列
可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器
WLSC系列产品（100μm厚）适用于无线通信（例如5G）、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途。WLSC电容器适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波／噪声滤除功能等。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺，开发极深沟槽结构的硅电容器，静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的击穿电压为150V to 11V）。本公司的半导体（硅）技术，依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜，完全控制的生产工艺，与其他的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术，使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性极为优秀。并且，因为硅在本质上电介质吸收很小，压电效应也很小，或者几乎没有，所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。
5、MGSC系列
医疗用硅电容器
村田＊的MGSC系列，以所有的重要插件和生命支持解决方案为目标。这种深槽MOS电容器，利用通过ISO-13485认证的村田设备制造，采用特别的Mosaic设计，与分散的沟槽电容器组合，电气特性达到了超高的水平。村田提供的各种电容器，均在制造过程中采用经过900℃退火处理的高纯度氧化膜，符合AEC-Q100标准。
并且，对根据用途的关键性而生产的电容器进行100%屏蔽，排除“初始”缺陷。漏电流极低，在使用电池的用途上，可以改善性能，延长使用寿命。硅电容器技术与替代的陶瓷电容器技术相比，不仅可靠性高，而且兼具稳定性和轻薄性。MGSC电容器与标准的外置SMD解决方案相比，去藕性能得到加强，可在插件上直接集成。
6、ATSC系列
最高工作温度200℃的汽车用硅电容器
ATSC系列以车载电子设备，以及汽车市场的暴露在恶劣环境下的传感器为目标。这种深槽MOS电容器，利用通过ISO-TS 16949认证的村田＊设备制造，采用Mosaic设计，与分散的沟槽电容器组合，电气特性达到了前所未有的水平。村田提供的各种电容器，均在制造过程中采用经过900℃退火处理的高纯度氧化膜，以超长寿命成功地通过了AEC-Q100的最高200℃的测试。
硅电容器技术与替代的电容器技术相比，不仅可靠性最高为后者的10倍，而且兼具稳定性和轻薄性。ATSC系列与标准的外置SMD解决方案相比，去藕性能得到加强，可在系统级封装中、引线框架上直接集成。
7、WASC系列
汽车应用 支持汽车引线键合的上下电极硅电容器
WASC系列符合AEC-Q100标准（施加电压为68V，等级为0（-40°C/+150°C），温度循环测试2000次）。可以根据要求提供基于AEC-Q100标准的BV150技术认证报告。
主要应用于需要小型化和低ESL时的有源元件去耦和滤波。WASC系列的静电容量范围为100pF至4.7nF。我们可以根据要求通过单元件或电容器阵列提供其他静电容量和其他尺寸，请随时与我们联系。
WASC系列基于无源元件集成技术（PICS Integrated Passive technology）。这些在发布时符合RoHS标准。
8、WBSC / WTSC / WXSC系列
最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器
村田＊的WBSC/WTSC/WXSC系列，是特地为最高工作温度250℃（WXSC）的重视可靠性的用途而生产的，适用于DC去耦。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺，开发极深沟槽结构的硅电容器，静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的击穿电压为150V to 11V）。
本公司的半导体（硅）技术，依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜，完全控制的生产工艺，与其他的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术，使电容器的稳定性位居行业榜首（WXSC的最高工作温度为250℃，WTSC为200℃，WBSC为150℃，温度系数为+60ppm/K）。并且，因为硅在本质上电介质吸收很小，压电效应也很小，或者几乎没有，所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。
9、UBEC / BBEC / ULEC系列
支持60GHz+的嵌入/引线键合用硅电容器
UBEC/BBEC/ULEC系列是以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），UBEC系列、BBEC系列、ULEC系列，分别在60+GHz、40GHz、20GHz，实现出色的静噪性能。这里所使用的深槽硅电容器，是应用半导体的MOS工艺开发的。
UBEC/BBEC/ULEC系列具有极高的可靠性，以及对于温度（+60ppm/K）和电压的静电容量稳定性，而且工作温度范围宽达-55℃ to 150℃。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。此外，这些电容器支持标准的引线键合封装（球和楔）。这些电容器符合RoHS标准，也能提供厚膜铝电极。
10、HTSC / XTSC系列
最高工作温度250℃的硅电容器
村田提供两种电容器系列，均符合JEDEC标准的严格条件。适用于高温环境的HTSC系列，最高工作温度200℃适用于超高温环境的XTS系列，最高工作温度250℃。以突出的性能为例，XTSC系列在-55℃ to +250℃的温度范围，实现了外壳尺寸1206、静电容量1μF、温度系数+60ppm/K。老化、绝缘电阻和静电容量值的稳定性，在高可靠性用途的产品中得到优化。
11、EMSC系列
可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器
依靠村田＊应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要最佳去耦特性的设计人员而言，这是最适合嵌入用途的解决方案。
EMSC被优化为多层基板封装、刚性/柔性PCB、FR4、陶瓷、玻璃、引线框架或金属薄片的平台。硅电容器技术，提供电容器集成功能（最高250nF/mm2），与现有解决方案相比，可以更加小型化。村田的技术，与钽和MLCC等替代的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍，不会发生开裂现象。半导体（硅）技术，在工作电压和工作温度的整个范围内，静电容量极其稳定，并稳定保持高绝缘电阻。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准，可以进行无铅回流封装。
12、ETSC / EXSC系列
最高工作温度250℃的引线键合用硅电容器
ETSC和EXSC系列，采用支持高温引线键合技术的设计，铝楔焊键合时使用铝焊盘；金线键合时，如果客户要求，使用金焊盘。这些电容器的特点是薄型（250μm），低漏电流，工作温度也很高（ETSC最高200℃，EXSC最高250℃），对于温度和电压表现出很高的稳定性，因老化而引起的静电容量下降也极少。主要用途是多芯片组件组装，包括挖掘机市场、去耦、滤波、电荷泵浦、X8R和C0G电介质的置换、高可靠性用途等。
13、HSSC系列
高稳定性高可靠性硅电容器
依靠村田＊应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。高稳定性硅电容器是根据重视稳定性的用途而研制的。HSSC系列提供很高的DC电压稳定性，不需要提高精密静电容量电路的静电容量设置值。此项技术在电压和温度的整个工作范围内，都能保持稳定的静电容量，提供行业最佳性能。硅电容器的绝缘电阻非常高，而且很稳定，因此在移动用途上，可使电池寿命最多提高30%。
村田的半导体（硅）技术，以电容器的集成功能（最大250nF/mm2）为特点，外壳尺寸可以小于以前的解决方案，因此能够满足严格限制体积的要求。此项技术与钽和MLCC等替代的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍，不会发生开裂现象。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准，可以进行无铅回流封装
14、LPSC系列
可薄至100μm的硅电容器
LPSC系列能以100μm的厚度（需要时也能薄至80μm），实现对附加电压的极高稳定性、超低漏电流、高级性能，特地为注重集成化的用途而研制，包括天线的匹配器、RF滤波器、活性芯片的去藕装置等限制高度和尺寸的器件，特别是智能卡、RFID标签、医疗设备等。LPSC分为下列2个系列：
LPSC系列：最适合容量范围为47pF to 1μF，需要超高去藕特性的用途，包括嵌入技术、模块、系统和封装。
ESD增强系列：容量范围为47pF to 330pF，作为RFID的元件长期有效工作。通过对基本单元进行完整建模，成功地将ESD性能优化至最大8kV（参照下面的“特点”）。并且，通过微调RFID硅电容器的容量，可将SRF提高至最大3GHz，能够在13.56MHz to UHF（800/900MHz）的用途上精密对合天线。
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